Beschreibung
Sehr schnelle , empfindliche Silizium PIN-Fotodiode mit extrem kurzen Schaltzeiten, für Übertragungsfrequenzen bis zu 100 MHz, RoHS konform. Technische Daten: Wellenlänge: 790-940-1050 nm; (50%-max.-50%) Rückwärtssperrspannung VR min.: 60 V Sperrstrom I ra: min. 30 µA ; typ. 60 µA @ 1mW/qcm; 950 nm; 5 V Dunkelstrom I r0: typ. 1 nA; max. 5 nA @ VR = 20 V; Kurzschlussstrom I k: typ 50 µA @1 mW/qcm; 870 nm Sperrkapazität CD: typ 11 pF @ VR = 0 V Steig- und Fallzeit tr,tf: typ. 2,5 ns @ 50 Ohm; 50 V; 820 nm Sensorfläche: 0,78 qmm Öffnungswinkel: +/- 20° @ 50% Temp. Bereich: -40 … 100 °C Montage: THT
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