Beschreibung
Mb104/4C, aus DDR-Beständen, Opto vergleichbar mit CNY 17, bestehend aus einer IR-Diode im Eingangsbereich und einem planaren npn-Si-Fototransistor im Ausgangsbereich, Dip-6, 200 mW,Kollektor-Emitter-Strom bei If =10 mA, Uce = 5 V Ice(h)=20 mA Technische Daten:Pin 1: Ir-Led- AnodePin 2: IR-LED-KatodePin 3: nicht belegtPin 4: Fototransistor EmiterPin 5: Fototransistor KollektorPin 6: Fototransistor Basis
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