Description
Mb104/4B, aus DDR-Beständen, Opto vergleichbar mit CNY 17, bestehend aus einer IR-Diode im Eingangsbereich und einem planaren npn-Si-Fototransistor im ausgangsbereich, Dip-6, 200 mW, Kollektor-Emitter-Strom bei If=10 mA, Uce=5 V, Ice(h)=12,5 mA Technische Daten:Pin 1: IR-LED-AnodePin 2: IR-LED-KatodePin 3: nicht belegtPin 4: Fototransistor EmitterPin 5: Fototransistor KollektorPin 6: Fototransistor Basis
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