Beschreibung
Uces 1200 V, Ics25 50 A, Icpuls 100 A, Ptot 349 W, Ugeth 5,2 V, tdon 27 ns, tdoff 265 ns, To-247. Technische Daten: Typ: Igbt Bauform: To-247 max. Collector-Emitter Breakdown Voltage (Uces): 1200 V max. Continuous Collector Current at 25°(Ic25): 50 A max. Pulsed Collector Current (Icpuls): 100 A Power Dissipation (Ptot): 349 W min. Gate Thereshold Voltage (Uge th): 5,2 V Turn On Delay Time (td on): 27 ns Turn Off Delay Time (td off): 265 ns Hersteller: Infineon Herstellerartikelnummer: Ikw25N120T2 Datenblatt: http://www.infineon.com/
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