Beschreibung
Uces 650 V, Ics25 74 A, Icpuls 120 A, Ptot 250 W, Ugeth 4 V, tdon 20 ns, tdoff 175 ns, To-220. Technische Daten: Typ: Igbt Bauform: To-220 max. Collector-Emitter Breakdown Voltage (Uces): 650 V max. Continuous Collector Current at 25°(Ic25): 74 A max. Pulsed Collector Current (Icpuls): 120 A Power Dissipation (Ptot): 250 W min. Gate Thereshold Voltage (Uge th): 4 V Turn On Delay Time (td on): 20 ns Turn Off Delay Time (td off): 175 ns Hersteller: Infineon Herstellerartikelnummer: Igp40N65F5 Datenblatt: http://www.infineon.com/
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