Beschreibung
Schneller, empfindlicher Infrarot Fototransistor im Tageslicht-gefilterten schwarzen Gehäuse; ohne Basisanschluss; RoHS konform. Technische Daten: Wellenlänge (50%-max-50%): 760-940-1100 nm Empfindlichkeit: 0,7 … 5,07 mA @ 1 mW/cm²; Vce= 5 V Öffnungswinkel: k. A. VCE max: 30 V VEC max: 5 V IC max: 20 mA IC off: 100 nA @ Vce=20 V tr: 15 µsec tf: 15 µsec PV max: 75 mW @ 25 °C Temp. Bereich: -25 … 85 °C Gehäuseform: T-1 Montage : THT
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