Beschreibung
Schnelle empfindliche Silizium PIN-Fotodiode mit kurzen Schaltzeiten, RoHS konform. Technische Daten: Wellenlänge: 400-940-1100 nm (50%-max.-50%) Rückwärtssperrspannung VR min.: 32 V Sperrstrom I ra: min. 10 µA; typ. 18 µA; @ 1 mW/qcm; VR = 5 V Dunkelstrom I r0: typ. 5 nA; max. 30 nA; @ VR = 5 V Kurzschlussstrom I k: typ 18 µA @ 1 mW/qcm; 940 nm Sperrkapazität CD: typ. 25 pF @ VR = 3 V Steig- und Fallzeit tr,tf: typ. 50 ns @ 1000 Ohm; 10 V Sensorfläche: k.A Öffnungswinkel: k. A. Temp. Bereich: -40 … 85 °C Montage: THT
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