Beschreibung
Schnelle empfindliche Silizium PIN-Fotodiode mit kurzen Schaltzeiten, RoHS konform. Technische Daten: Wellenlänge: 840-940-1100 nm; (50%-max.-50%) Rückwärtssperrspannung VR min.: 32 V Sperrstrom I ra: min 1 µA; typ. 3 µA @ 1mW/ qcm; 940 nm; 5V Dunkelstrom I r0: max. 10 nA; @ VR = 10 V Kurzschlussstrom I k: 3,0 µA @ 1 mW/qcm; 940 nm Sperrkapazität CD: typ. 5 pF @ VR = 5 V Steig- und Fallzeit tr,tf: typ. 6 ns @ 100 Ohm; 10 V Sensorfläche: k. A. Öffnungswinkel: k. A. Temp. Bereich: -25 … 85 °C Montage: THT
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