Beschreibung
Uces 600 V, Ics25 80 A, Icpuls 160 A, Ptot 306 W, Ugeth 4,1 V, tdon 19 ns, tdoff 197 ns, To-247. Technische Daten: Typ: Igbt Bauform: To-247 max. Collector-Emitter Breakdown Voltage (Uces): 600 V max. Continuous Collector Current at 25°(Ic25): 80 A max. Pulsed Collector Current (Icpuls): 160 A Power Dissipation (Ptot): 306 W min. Gate Thereshold Voltage (Uge th): 4,1 V Turn On Delay Time (td on): 19 ns Turn Off Delay Time (td off): 197 ns Hersteller: Infineon Herstellerartikelnummer: Igw40N60H3 Datenblatt: http://www.infineon.com/
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