Beschreibung
Leistungs-MOSFET im Hvmdip- Gehäuse. Technische Daten: max. Drain-Source Voltage (Vds): 600 V max. Continuous Drain Current at Ta 25°: 0,32 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 4,4 Ω min. Gate Threshold Voltage (Vgs th): 2 V Turn On Delay Time (td on): 10 ns Turn Off Delay Time (td off): 30 ns
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